GST锗碲锑靶
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产品详情
GeSbTe是一种相变储存材料，基于锗锑碲化物的相变存储器(PCM)显示出显著的商业化潜力,是NOR型闪存和部分DRAM市场的一项替代性存储器技术，是一种极具潜力的未来新型半导体存储芯片技术。
产品规格
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成分 |
Ge,Sb,Te（不同原子比） |
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纯度 |
99.99% |
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密度 |
>6.38g/cm3 |
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尺寸 |
50.8mm - 440mm |
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公差 |
直径：±0.1mm,厚度：±0.1mm |
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粗糙度 |
32RMS |
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